特許
J-GLOBAL ID：200903031528153923
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175429
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021117
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を配線基板に接続してから樹脂封止が完了するまでの間の機械的接続強度を向上する。【構成】 半導体素子を配線基板にフリップチップ接続する際に、半導体素子と配線基板との間の間隙に充填する封止樹脂をフリップチップ接続直前S11と検査後S16との2回に分けて供給する。また、フリップチップ接続直前S11に封止樹脂を供給する際には、半導体素子の底面に転写方式によって供給する。こうして、フリップチップ接続直前S11に半導体素子側に転写方式によって供給された微量の封止樹脂によって半導体素子を配線基板上に仮止めして機械的接続強度の向上を図る。さらに、検査後S16に供給された封止樹脂供給によって半導体素子と配線基板との接続箇所を完全封止する。
請求項（抜粋）：
複数個の突起電極を有する半導体素子を配線基板上にフェイスダウン法によってフリップチップ接続し、上記半導体素子と配線基板との間の空隙に樹脂を充填して硬化させる半導体装置の製造方法において、上記半導体素子と配線基板との空隙に充填される樹脂は上記フリップチップ接続直前と検査後との2回に分けて供給され、上記フリップチップ接続直前に供給された樹脂によってフリップチップ接続後の半導体素子と配線基板とを仮止めする一方、上記検査後に供給された樹脂によって上記半導体素子を完全封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56
, H01L 21/60 311
