特許

J-GLOBAL ID：200903031534615815

水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法

発明者： 石倉 威文 ,  山下 敏 ,  川原田 洋 ,  外園 明
出願人/特許権者： 東京瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125932
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ホモエピタキシャルダイヤモンドまたはヘテロエピタキシャルダイヤモンドもしくは表面を平坦化した多結晶ダイヤモンドの表面を水素原子で終端2した水素終端ダイヤモンド1の表面に、金または白金からなるドレインオーミックコンタクト4およびソースオーミックコンタクト3と、酸化珪素(SiOX:1≦X≦2)からなる絶縁層5と、該絶縁層上に設けたゲート電極6を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域23とし、素子分離した水素終端ダイヤモンドMISFET。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域にドレインおよびソースならびに該ドレインとソース間に絶縁層を介してゲート電極を設けたことを特徴とする水素終端ダイヤモンドMISFET。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (9件)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 Z