特許
J-GLOBAL ID：200903031538098637

強誘電体膜の形成方法

発明者：
田村 哲朗

田村 哲朗 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043839
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242404
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】信頼性、特性にすぐれた強誘電体膜キャパシタやそれを用いた半導体記憶装置を得る。【解決手段】強誘電体物質の原料であるゾルゲル溶液を基板上に塗布したあと、真空中に保持して溶媒を除去してから熱処理を行って架橋反応を生じさせる。また、塗布後に酸素と反応しない第1の温度で熱処理後、第1の温度より高温の熱処理で架橋反応を生じさせる。また、塗布直後の熱処理は酸素を含まない雰囲気で処理する。
請求項（抜粋）：
強誘電体物質を構成する材料と溶媒を含むゾルゲル溶液を基板上に塗布する工程と、前記基板を真空中に保持して溶媒を除去したあと熱処理を行って、架橋反応を生じさせる工程とを含むことを特徴とする強誘電体膜の形成方法。
IPC (9件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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