特許
J-GLOBAL ID：200903031538535140
マグネトロンスパッタ成膜方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339783
公開番号（公開出願番号）：特開平11-172431
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】【課題】 マグネトロンスパッタ成膜装置において、ターゲット上の磁界強度可変して放電インピーダンスを変え、独立にスパッタ電流によって被成膜基板の薄膜の成膜を制御する。【解決手段】 真空チャンバ1内の被成膜基板2とターゲット4の間にマグネトロン放電を起こすために、直流電源6による負電圧をバッキングプレート5に印加するとともに、バッキングプレート5の裏側に永久磁石10a,10bおよび同永久磁石10a,10bと同軸のコイル11a,11bによってターゲット3表面上に磁界を発生する。そのマグネトロン放電によりチャンバ1内の放電用ガスをイオン化するとともに、このイオン化された正イオンによりターゲット4の原子をスパッタリングして被成膜基板2を成膜する。このとき、コイル11a,11bの電流を変えてターゲット4表面上の磁界を可変し、放電インピーダンスを変え、被成膜基板2の薄膜の特性を制御する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内にターゲットおよび同ターゲットに対向して被成膜基板を配置し、該真空チャンバ内を排気して所定真空圧とした後に所定ガスを入れ、前記ターゲットと被成膜基板の間に放電を起こし、かつ該放電をマグネトロン放電にして前記ガスをイオン化するとともに、該イオン化された正イオンにより前記ターゲットの原子をスパッタリングし、該スパッタリング粒子により前記被成膜基板に薄膜を成膜するマグネトロンスパッタ成膜方法において、前記マグネトロン放電を起こして前記ターゲット上に高密度のブラズマを発生させるために、前記ターゲット表面上に磁界を発生させるとともに、少なくとも該磁界の強度を可変して放電インピーダンスを変え、前記被成膜基板に成膜される薄膜を制御可能としたことを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 C
, C23C 14/54 C
