特許
J-GLOBAL ID：200903031539424503
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190791
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、光の解像限界近くで周期パターンを形成してもセル特性を均一にすることができ、素子特性及び歩留りを向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 同一パターンの繰り返す部分と、該同一パターンの繰り返す部分以外のパターン部分との境界にダミーの繰り返しパターンが形成されてなるように構成する。
請求項（抜粋）：
同一パターンの繰り返す部分と、該同一パターンの繰り返す部分以外のパターン部分との境界にダミーの繰り返しパターンが形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/10 471
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
, H01L 27/04
H01L 21/30 301 D
, H01L 21/30 301 Z
