特許
J-GLOBAL ID：200903031542347412
硬質炭素被膜基板及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119223
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330490
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 NiまたはAlを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板の上に硬質炭素被膜を形成した硬質炭素被膜基板であって、基板と硬質炭素被膜との密着性に優れた硬質炭素被膜基板を得る。【構成】 真空チャンバ8内に設けられた基板ホルダ12に基板13を装着し、シールドカバー14の第2開口部43において、イオンガン47及びターゲット46からなる中間層形成手段により基板上に炭素薄膜からなる中間層を形成し、第1開口部15において反応ガス導入管16から導入される炭素を含む反応ガスをプラズマ化し、中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成する。これによって基板とダイヤモンド状被膜との間に炭素薄膜からなる中間層を形成する。
請求項（抜粋）：
NiまたはAlを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板と、前記基板上に形成される炭素を主成分とする中間層と、前記中間層上に形成される硬質炭素被膜とを備える硬質炭素被膜基板。
IPC (6件)：
C30B 29/04
, B23P 15/28
, B26B 19/00
, C23C 14/06
, C23C 14/16
, C23C 28/04
