特許
J-GLOBAL ID：200903031542847636
酸化アルミニウム膜の形成方法およびX線マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296070
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136028
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、スパッタリング法により高品質の酸化アルミニウム薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。また本発明は、化学増幅型のレジストを用いてアルミニウム系物質からなるX線吸収体膜パターン形成用マスクを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の第1では、チャンバー内のベース圧力を1.0×10-6Torr以下にし、基板表面にスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成するようにしている。また、本発明の第2では、アルミニウムやアルミニウム化合物をマスクとしたX線吸収体パターンの形成に際し、炭素膜を介して化学増幅型レジストを形成するようにしている。
請求項（抜粋）：
チャンバー内を1.0×10-6Torr以下に真空排気する真空排気工程と基板表面にスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成する酸化アルミニウム堆積工程とを含むことを特徴とする酸化アルミニウム膜の形成方法。
IPC (2件)：
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