特許
J-GLOBAL ID：200903031544278515
薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265465
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122823
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、表示装置で使用される場合に高い開口率を得ることができるようにするすることを目的とする。【構成】 絶縁板の上に形成されたゲートバスライン12と、絶縁層を介して該ゲートバスラインと交差して配置されたドレインバスライン14と、該ゲートバスラインと該ドレインバスラインの交差部毎に設けられた薄膜トランジスタ18と、該薄膜トランジスタに接続された画素電極20とを備え、各ドレインバスライン14が平行に延びる2つのドレインバスライン部分14a、14bからなり、該画素電極20はその一側にある一つのドレインバスライン部分14a及びその他側にある一つのドレインバスライン部分14bに重なって設けられている構成とする。
請求項（抜粋）：
絶縁板(11)の上に形成されたゲートバスライン(12)と、絶縁層を介して該ゲートバスラインと交差して配置されたドレインバスライン(14)と、該ゲートバスラインと該ドレインバスラインの交差部毎に設けられた薄膜トランジスタ(18)と、該薄膜トランジスタに接続された画素電極(20)とを備え、各ドレインバスライン(14)が平行に延びる2つのドレインバスライン部分(14a、14b)からなり、該画素電極(20)はその一側にある一つのドレインバスライン部分(14a)及びその他側にある一つのドレインバスライン部分(14b)に重なって設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/786
