特許
J-GLOBAL ID：200903031545900732
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326064
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 バイアホールを有する半導体装置において、該バイアホール内のステップカバレッジを改善し、半導体装置の信頼性向上を図ること、及び、目合せ時の目ズレ等による不良発生を低減し、歩留り向上を図ると共に目合わせでは不可能な微細な段差構造の形成を可能にするバイアホールを有する半導体装置を提供すること。【構成】 半導体装置に形成されるバイアホール103の断面形状として、複数の段差を持ち、かつ半導体基板101の裏面より表面に近い程小さな径を有する形状とし、数10μmの深さを持つバイアホールでも表面近傍にて充分なステップカバレッジを確保する。この段差形状は、第1の金属膜105をマスクとした半導体基板101のエッチングに続き、絶縁膜による側壁の形成と半導体基板101のエッチングを複数回繰り返すことにより形成される。
請求項（抜粋）：
バイアホ-ルを有する半導体装置において、バイアホ-ルの断面形状が、絶縁膜による側壁の形成と半導体基板のエッチングのくり返しにより自己整合的に形成された複数の段差及び半導体裏面から表面に向う程小さな径を有し、かつ半導体装置裏面に上記断面形状を持つバイアホ-ル形成の際のマスク材となる金属膜を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 29/44
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/88 J
, H01L 29/80 U
