特許
J-GLOBAL ID：200903031546018278
パワ-半導体モジュ-ル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223658
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】圧力により接点が作り出される対象である少なくとも1個の半導体(4)が接点部材(8)を介して主接続部(30)に電気的に接続されるパワー半導体モジュールが特定されている。接点部材(8)は、2つの平面状の接触面(81、82)を有し、それらの間には、ばね部材が配置されている。チップ(4)個々の位置及び高さとは無関係に、それぞれのばね部材(7)は標準的な接触力を確保している。モジュールが固定されているとき、半導体チップ(4)の過負荷は、セラミック支持部材(10)により防止される。
請求項（抜粋）：
ベ-スプレート(2)と、カバープレート(3)と、第1主電極(40)により上記ベースプレート(2)に電気的に接続され且つ第2主電極(41)によりそしてばね力の掛かった電気接点部材(8)を介して上記カバープレート(3)に電気的に接続されている少なくとも1個の半導体チップとを有するパワー半導体モジュールであって、少なくとも1個の上記接点部材(8)を広げて、上記第2主電極(41)と上記カバープレート(3)との間に電気的接続を作り出す状態にする、少なくとも1個のばね部材(7)が設けられていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/52
H01L 25/04 C
, H01L 21/52 J
