特許
J-GLOBAL ID：200903031547098283
半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280721
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093752
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ウェハに形成された半導体素子を効率的に分離することのできる半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置を提供することを課題とする。【解決手段】回路が形成されたウェハ2の表面2aがテープ材4に貼り付けられた状態で、ウェハ2の裏面2bを研磨する。研磨されたウェハの裏面2bをエッチングすることによりウェハ2を所定の厚みとする。半導体素子12に相当する領域にレジスト層8を形成してマスキングする。ウェハ2の裏面2b側からエッチングを施すことによりウェハ2を個々の半導体素子12に分離する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成されたウェハを個々の半導体素子に分離する半導体素子分離方法であって、回路が形成された前記ウェハの表面がテープ材に貼り付けられた状態で、前記ウェハの裏面を研磨する工程と、研磨された前記ウェハの裏面をエッチングにより所定の厚さだけ除去する工程と、エッチングされた前記ウェハの裏面において、分離する個々の半導体素子に相当する領域にレジスト層を形成してマスキングする工程と、前記ウェハの裏面側からエッチングを施すことにより前記ウェハを個々の半導体素子に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体素子分離方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 S
, H01L 21/78 L
