特許

J-GLOBAL ID：200903031553593237

熱処理装置

発明者： 中塚 康彦 ,  中村 秀一 ,  暮石 芳憲 ,  鈴木 匡 ,  永山 智士
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164393
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017742
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 光加熱方式の熱処理装置の熱処理中における被処理物の面内温度均一性を向上させる。【構成】 支持ピン7bによって支持された状態でチャンバ2内に収容された半導体ウエハ6を、その上下にチャンバ2を隔てて配置されたランプ10によって加熱するランプアニール装置1に、半導体ウエハ6において支持ピン7bが接触する領域に光を照射し加熱する点状のランプ11を設けた。

請求項（抜粋）：

支持部に接触した状態で支持された被処理物を主加熱源から放射された光によって加熱する熱処理装置であって、前記被処理物において前記支持部の接触領域における局所的な温度低下を補うために、前記接触領域を局所的に加熱する副加熱源を設けたことを特徴とする熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/22 501 L ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/68 N