特許
J-GLOBAL ID：200903031558709632
半導体エネルギー検出器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045575
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、短波長光等のエネルギー線に対する感度が良好な半導体エネルギー検出器の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 低不純物濃度の第1のシリコンウエファ(24)と、高不純物濃度である第2のシリコンウエファ(27)を、酸化膜(26)を介して熱処理により貼り合わせて一体化しする第1の工程と、第1のシリコンウエファ(24)の貼り合わせ面でない面に、電荷転送素子を複数配列することによって電荷読み出し部(30)を形成する第2の工程と、第2のシリコンウエファ(27)の貼り合わせ面でない面からエッチングを開始して、貼り合わせ面の酸化膜(26)を露出させ、これにより半導体エネルギー検出素子を形成する第3の工程とを備える。熱処理により一体化するため不純物は第1のシリコンウエファ(24)に拡散し、また第1のシリコンウエファ(24)とそれを支える補助基板(35)の間には樹脂(50)が充填されているので、電荷読み出し部(30)はエッチャントにより汚染されるおそれがない。
請求項（抜粋）：
半導体薄板の裏面からエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器の製造方法において、低不純物濃度の第1のシリコンウエファと、その第1のシリコンウエファと同じ導電型で高不純物濃度の第2のシリコンウエファを、シリコン酸化膜を介して熱処理により貼り合わせて一体化する第1の工程と、前記第1のシリコンウエファの貼り合わせ面の反対面に、電荷転送素子を複数配列することによって電荷読み出し部を形成する第2の工程と、前記第2のシリコンウエファの貼り合わせ面の反対面からエッチングを開始して、前記貼り合わせ面のシリコン酸化膜を露出させることにより半導体エネルギー検出素子を形成する第3の工程とを備えることを特徴とする半導体エネルギー検出器の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/14
, G01J 1/02
, H01L 27/12
, H01L 31/09
H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
