特許
J-GLOBAL ID：200903031562279251
サーモモジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017762
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 P型半導体素子とN型半導体素子とが交互に電気的に直列に接続されるように、各半導体素子が第一の基板に設けた複数の電極と第二の基板に設けた複数の電極(図示せず)とによってサンドイッチ状に挟まれた構成のサーモモジュールにおいて、第一の基板及び第二の基板の一方または双方の表面に半田コーティングがされる場合でも、コーティング用の半田として有害物質を用いず、電極同士の短絡も引き起こすことがないようにする。【解決手段】 第一の基板10に形成された電極11と第二の基板20に形成された電極21との間に複数のP型半導体素子31またはN型半導体素子32をサンドイッチ状に挟持することにより、P型半導体素子31とN型半導体素子32とが電極11、21を介して交互に直列に配列されるように構成したサーモモジュール40において、電極11、21とP型半導体素子31及びN型半導体素子32とを、Au-Snを主成分とする半田ペーストによって結合する。
請求項（抜粋）：
第一の基板に形成された電極と第二の基板に形成された電極との間に複数のP型半導体素子またはN型半導体素子をサンドイッチ状に挟持することにより、P型半導体素子とN型半導体素子とが該電極を介して交互に直列に配列されるように構成したサーモモジュールであって、該電極と該P型半導体素子及びN型半導体素子とは、Au-Snを主成分とする半田ペーストによって結合されているサーモモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/08
