特許

J-GLOBAL ID：200903031562860124

半導体装置の製造方法

発明者： 室園 泉
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018888
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213703
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造において、アルミ電極配線をドライエッチでパターン形成するときに発生した反応生成物(ポリマー)およびアッシング後のレジスト残さを除去する際に、アルミ電極配線のエッチングを抑制する。【解決手段】 レジスト1をマスクとしてアルミ電極配線3等をドライエッチしてパターン形成し、アッシング処理した後、無水弗酸ベーパー処理を行い、その後、純水洗浄を行い、さらに温水洗浄を行うことにより、反応生成物7とレジスト残さ8を除去し、その際に、アルミ電極配線3,反射防止膜2およびバリアメタル4のエッチングを抑制することができ、アルミ電極配線3の腐食も無く、配線の膜厚が薄くなったり幅が狭くなったりすることもない。【効果】 無水弗酸を希釈して使用するため、薬液の使用量および廃液量を大幅に削減できる。

請求項（抜粋）：

レジストをマスクとしてアルミ電極配線をドライエッチしてパターン形成した後、前記レジストを除去するアッシング処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記アッシング処理後に無水弗酸および水分を含むガスに曝す無水弗酸ベーパー処理工程と、前記無水弗酸ベーパー処理工程後に温水で洗浄を行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 N