特許
J-GLOBAL ID：200903031563219244
磁気抵抗効果センサ及び該センサの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030169
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228003
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 フリー層と縦バイアス磁界用の強磁性体層及び反強磁性体層との間で良好な交換結合を発生させることができるMRセンサ及び該MRセンサの製造方法を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性体層、第1の反強磁性体層との交換結合によりバイアス磁界が印加される第1の強磁性体層(ピンド層)、及び第1の強磁性体層上に非磁性体層を介して積層され、印可される信号磁界に応答して磁化方向が変化する第2の強磁性体層(フリー層)を有するMR積層体を形成するステップと、形成したMR積層体上に保護層を積層するステップと、保護層の少なくとも一部を除去すると共にフリー層の両端部を所定深さまで除去するステップと、フリー層の少なくとも両端部上にこのフリー層の磁区を制御するための交換結合用の第2の反強磁性体層を形成するステップとを備えており、上述の除去するステップを、第1の反強磁性体層の磁化方向制御用の熱処理前に行う。
請求項（抜粋）：
第1の反強磁性体層、該第1の反強磁性体層との交換結合によりバイアス磁界が印加される第1の強磁性体層、及び該第1の強磁性体層上に非磁性体層を介して積層され、印可される信号磁界に応答して磁化方向が変化する第2の強磁性体層を有する磁気抵抗効果積層体を形成するステップと、該形成した磁気抵抗効果積層体上に保護層を積層するステップと、該保護層の少なくとも一部を除去すると共に前記第2の強磁性体層の両端部を所定深さまで除去するステップと、該第2の強磁性体層の少なくとも該両端部上に当該第2の強磁性体層の磁区を制御するための交換結合用の第2の反強磁性体層を形成するステップとを備えており、前記除去するステップを、前記第1の反強磁性体層の磁化方向制御用の熱処理前に行うことを特徴とする磁気抵抗効果センサの製造方法。
Fターム (4件)：
5D034BA04
, 5D034BA17
, 5D034CA08
, 5D034DA07
