特許

J-GLOBAL ID：200903031565278167

シリコン含浸炭化ケイ素部材およびその表面処理方法

発明者： 佐藤 浩昌 ,  羽田 卓 ,  北澤 厚男
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094706
公開番号（公開出願番号）：特開2004-299964
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】表面近傍のマイクロクラックが低減され、かつ、均質に粗面化され、また、表面に被覆されるCVD-炭化ケイ素膜の剥離や欠落を生じることがない、半導体熱処理用部材に好適なシリコン含浸炭化ケイ素部材およびその表面処理方法を提供する。【解決手段】炭化ケイ素より硬度が低く、かつ、シリコンより硬度が高い砥粒を用いてブラスト処理することにより、表面粗さが、算術平均粗さRaが5μm以上12μm以下、最大高さRyが40μm以上80μm以下であり、かつ、平均平均粗さRaよりも凸部において炭化ケイ素粒子が占める面積が70%以上であるシリコン含浸炭化ケイ素部材を得る。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

表面粗さが、算術平均粗さRaが5μm以上12μm以下、最大高さRyが40μm以上80μm以下であり、かつ、算術平均粗さRaよりも凸部において炭化ケイ素粒子が占める面積が70%以上であることを特徴とするシリコン含浸炭化ケイ素部材。

IPC (4件)：

C04B41/91 ,  C04B41/85 ,  C04B41/87 ,  C23C16/42

FI (5件)：

C04B41/91 D ,  C04B41/85 B ,  C04B41/85 H ,  C04B41/87 G ,  C23C16/42

Fターム (3件)：

4K030BA37 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• Si-SiC質耐火物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294484   出願人：日本碍子株式会社

審査官引用 (1件)

• Si-SiC質耐火物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294484   出願人：日本碍子株式会社