半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030307
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229173
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】白金電極をチタン等をマスクにした選択エッチング法で形成すると、エッチング時のチタンの浸食によって微細でかつ高精度の白金電極を形成することが困難となる。【解決手段】容量絶縁膜としての絶縁膜2を選択エッチングして凹部からなる鋳型4を形成し、この鋳型4を白金5で埋め込む。次いで、この白金5をエッチバックして鋳型4内のみ残し、しかる上で絶縁膜2を所要の厚さにまでエッチバックして鋳型内の白金5を残すことで、白金容量電極6を選択的に形成する。絶縁膜2を異方的にエッチバックして微細でかつ高精度の鋳型4を形成することは容易であり、この鋳型4を利用して白金電極6を自己整合的に形成するために、微細でかつ高精度の白金電極を容易に形成することが可能となり、電子デバイスの集積度及び微細加工性を飛躍的に向上できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に所望のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに前記絶縁膜を異方性エッチングして前記絶縁膜の膜厚よりも浅い凹部からなる鋳型を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記鋳型を埋設する厚さに白金を大切して前記鋳型を白金で埋め込む工程と、前記白金をエッチバックして前記鋳型内にのみ残す工程と、前記絶縁膜を前記鋳型の深さまでエッチバック除去して前記鋳型内の白金を残して電極として形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

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