pin型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213988
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【目的】リーク電流の低減に基づいた暗電流の抑制によって素子特性が向上したpin型受光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 pin型受光素子1は、半導体基板20上に形成されて第1導電型の不純物をドープして構成された第1の半導体層30と、第1の半導体層30上にメサ型に形成されて第1の半導体材料に不純物を故意にドープしないで構成された第2の半導体層31と、第2の半導体層31上にメサ型に形成されて第1の半導体材料に第1導電型とは異なる第2導電型の不純物をドープして構成された第3の半導体層32と、第1ないし第3の半導体層30〜32の周囲に形成されて第1の半導体材料よりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第2の半導体材料に不純物を故意にドープしないで構成された第4の半導体層40とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、第1導電型の不純物をドープして構成された第1の半導体層と、この第1の半導体層上にメサ型に形成され、第1の半導体材料に不純物を故意にドープしないで構成された第2の半導体層と、この第2の半導体層上にメサ型に形成され、前記第1の半導体材料に前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物をドープして構成された第3の半導体層と、前記第1の半導体層上にオーミック接触して形成された第1の電極層と、前記第3の半導体層上にオーミック接触して形成された第2の電極層と、前記第1ないし第3の半導体層の周囲に形成され、前記第1の半導体材料よりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第2の半導体材料に、不純物を故意にドープしないで構成された第4の半導体層とを備えることを特徴とするpin型受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 27/14 , H01L 31/02

FI (3件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 Z , H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (28件)

特開平4-080973
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-016662 出願人：日本電気株式会社
一体集積型半導体構造体とその製造法
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-512447 出願人：ジーティーイーラボラトリーズインコーポレイテッド

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