特許
J-GLOBAL ID：200903031567002410
積層圧電素子及びその製造方法並びに分極処理方法、及び超音波モータ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本多 小平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225757
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077550
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 円板状の圧電素子を個々に形成し、分極処理を施す場合は、分極処理等に時間を要したり、圧電セラミックスにある程度の厚みを必要としていたが、このような問題を解決した積層圧電素子を提供する。【構成】 圧電セラミックス5の片面側にスリット6を隔てて電極膜8-1、8-2を形成すると共に、他面側に全面電極膜10を形成した複数の圧電素子4を、片面側と他面側とを互い違いにすると共に、スリット6を同じ向きにして対向する電極膜同士が接触するように重ね合わせて積層し、各電極膜8-1と8-2同士を夫々導電させ、且つ互いに非導電状態としている導電部2-1、2-2と、該各全面電極膜10同士を導電させた導電部3に夫々給電できるようにしている。
請求項（抜粋）：
片面側に複数の分割電極膜を形成すると共に、他面側に全面電極膜を形成した複数の圧電素子を、片面側と他面側とを互い違いにすると共に、各分割電極膜の位相を一致させるようにして対向する電極膜同士が接触するように重ね合わせて積層され、積層方向において同位相の分割電極膜同士を導電させ、且つ互いに非導電状態としている複数の導電部と、該各全面電極膜同士を導電させた導電部に夫々給電するようにしたことを特徴とする積層圧電素子。
IPC (3件)：
H01L 41/09
, H01L 41/24
, H02N 2/00
H01L 41/08 Q
, H01L 41/22 Z
