特許

J-GLOBAL ID：200903031569682710

半導体冷却構造

発明者： 佐藤 博英
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳 ,  高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360383
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165620
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】半導体モジュールと冷却管との間の電気絶縁性を確保することができる半導体冷却構造を提供すること。【解決手段】半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2と、半導体モジュール2に接触配置された絶縁材3と、半導体モジュール2との間に絶縁材3を挟むように絶縁材3に接触配置された冷却管4とが、互いに加圧密着してなる半導体冷却構造1。半導体モジュール2の主面25と絶縁材3の主面35との間、及び絶縁材3の他の主面35と冷却管4の主面45との間には、グリス5が介在する。半導体モジュール2は主面25と直交する方向に外部接続端子22を設けてなる。外部接続端子22の立設方向について、半導体モジュール2の主面25の端部251は絶縁材3の主面35の端部351よりも突出し、絶縁材3の主面35の端部351は冷却管4の主面45の端部451よりも突出している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接触配置された絶縁材と、上記半導体モジュールとの間に上記絶縁材を挟むように該絶縁材に接触配置され上記半導体モジュールを冷却する冷却管とが、それぞれの主面において互いに加圧密着してなる半導体冷却構造であって、 上記半導体モジュールの主面と上記絶縁材の主面との間、及び該絶縁材の他の主面と上記冷却管の主面との間には、グリスが介在しており、 上記半導体モジュールは、主面と直交する方向に外部接続端子を設けてなり、 該外部接続端子の立設方向について、上記半導体モジュールの主面の端部は上記絶縁材の主面の端部よりも突出しており、上記絶縁材の主面の端部は上記冷却管の主面の端部よりも突出していることを特徴とする半導体冷却構造。

IPC (2件)：

H01L 23/473 ,  H01L 23/40

FI (2件)：

H01L23/46 Z ,  H01L23/40 D

Fターム (2件)：

5F136CB06 ,  5F136EA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-299248   出願人：株式会社デンソー