特許
J-GLOBAL ID：200903031571753926
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206587
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036369
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタに対する水素化処理を効率化する。【解決手段】 絶縁基板1上にゲート電極3をパタニング形成し、さらにゲート電極3を第1ゲート絶縁膜5及び第2ゲート絶縁膜6で被覆する。第2ゲート絶縁膜6の上に多結晶性の半導体薄膜7をパタニング形成し、さらにこの半導体薄膜7に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタ9に加工する。半導体薄膜7に水素を拡散して薄膜トランジスタ9の特性を改善する。この為、水素の外方透過を阻止可能な緻密組成の水素遮断膜11を半導体薄膜7の上に成膜した状態で、絶縁基板1を加熱処理し遊離水素を半導体薄膜7に内方拡散して固体化する。この際、水素遮断膜11の成膜に先立って遊離水素の供給源となる水素プラズマ13中に半導体薄膜7の表面を暴露する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にゲート電極をパタニング形成し、さらに該ゲート電極をゲート絶縁膜で被覆するゲート形成工程と、該ゲート絶縁膜の上に多結晶性の半導体薄膜をパタニング形成し、さらに該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタに加工するトランジスタ形成工程と、該半導体薄膜に水素を拡散して該薄膜トランジスタの特性を改善する水素化工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記水素化工程は、水素の外方透過を阻止可能な緻密組成の水素遮断膜を該半導体薄膜の上方に成膜した状態で、該絶縁基板を加熱処理し遊離水素を該半導体薄膜に内方拡散して固定化する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
