特許

J-GLOBAL ID：200903031573969829

半導体集積回路及びコンデンサ・マイクロフォン

発明者： 渡邊 大介
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-067312
公開番号（公開出願番号）：特開2009-225100
出願日： 2008年03月17日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】キャパシタを集積化するとともに、高ESD耐圧を実現する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体集積回路10は、コンデンサ・マイクロフォン用の半導体集積回路であって、出力トランジスタMN1のドレインと端子Bとの間に直列に接続された抵抗R5、抵抗R6と、出力トランジスタMN1のソースと接続された端子Cと、抵抗R5と抵抗R6との接続点n4と端子Cとの間に設けられたキャパシタC1と、キャパシタC1と並列に接続されたダイオードD3とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コンデンサ・マイクロフォン用の半導体集積回路であって、 出力トランジスタのドレインと出力端子との間に直列に接続された第1抵抗、第2抵抗と、 前記出力トランジスタのソースと接続された電源端子と、 前記第1抵抗と前記第2抵抗との接続点と前記電源端子との間に設けられた第1キャパシタと、 前記第1キャパシタと並列に接続された第1ダイオードとを備える半導体集積回路。

IPC (5件)：

H03F 1/52 ,  H03F 3/185 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H04R 3/00

FI (5件)：

H03F1/52 B ,  H03F3/185 ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 L ,  H04R3/00 320

Fターム (28件)：

5D020BB12 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AR01 ,  5F038AR09 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE08 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038BH19 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5J500AA01 ,  5J500AC93 ,  5J500AF16 ,  5J500AH10 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK22 ,  5J500AM21 ,  5J500AS05 ,  5J500AT03 ,  5J500AT06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 登録実用新案第3081106号公報