特許
J-GLOBAL ID：200903031576093428
不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250172
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340861
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 高精度な不純物濃度分布を算出する不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、データベース1よりSIMS測定等の不純物濃度分布測定データを取り込み、この不純物濃度分布測定データに基づきパラメータ抽出プログラム3にてシミュレーションパラメータを抽出する。次いで抽出したシミュレーションパラメータが打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜厚、打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるようなデータ処理をデータ処理プログラム2で行い、そのデータ処理後のシミュレーションパラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を不純物シミュレータ6にて算出する。また、不純物濃度分布形状が不連続となる場合は、各種条件間に新たなシミュレーションパラメータを設定している。
請求項（抜粋）：
基板への打ち込みドーズ量に応じた基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所定のシミュレーションパラメータを抽出し、該シミュレーションパラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出する不純物シミュレーション方法であって、先ず、前記不純物濃度分布データに基づきシミュレーションパラメータを抽出し、次に、抽出した前記シミュレーションパラメータが前記打ち込みドーズ量に対して連続的な値となるようなデータ処理を行い、次いで、データ処理後のシミュレーションパラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出することを特徴とする不純物シミュレーション方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, G06F 17/00
, H01L 21/00
H01L 21/265 Z
, H01L 21/00
, G06F 15/20 D
