特許

J-GLOBAL ID：200903031577311224

薄膜の形成方法

発明者： 西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142600
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 強誘電性薄膜の配向性を制御できる薄膜形成方法を提供する。【構成】 白金薄膜14上にBaTiO3 ,SrTiO3 ,BaO,SrO,CeO2 及びMgOの化合物の群の中から選ばれた1種類の化合物又は2つ以上の化合物で配向性制御層16を形成する。その後、該配向性制御層16上にPbZrx Ti1-x O3 層(PZT層)18又はPb1-y Lay (Zr,Ti)O3 層(PLZT層)を形成する。

請求項（抜粋）：

白金(Pt)薄膜上にPbZrx Ti1-x O3 層(PZT層)又はPb1-y Lay (Zr, Ti)O3 層(PLZT層)を形成する薄膜形成方法において、前記白金薄膜上にBaTiO3 、SrTiO3 、BaO、SrO、CeO2 及びMgOの化合物の群の中から選ばれた1種類の化合物又は2つ以上の化合物で配向性制御層を形成する工程と、前記配向性制御層上に前記PZT層又は前記PLZT層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C