特許

J-GLOBAL ID：200903031582114100

青色発光素子

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177423
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる構造を提供する。【構成】 n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層3と、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5の範囲である。)層4と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層5とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備するダブルへテロ構造の青色発光素子。

請求項（抜粋）：

n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5の範囲である。)層と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-228776
  
• 特開平4-068579
  
• 特開平3-203388
  
• 特開平3-218625