被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158712
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349082
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】特に酸素(O2 )中にオゾン(O3 )を含むオゾン含有ガスとテトラエチルオルソシリケート(TetraEthylOrthoSilicate :TEOS)を含んだ反応ガス(以下、O3 /TEOS反応ガスと記す。)を用いた熱CVD法により成膜する前に被成膜基板表面への成膜における下地依存性を改善する。【解決手段】被成膜基板102の被成膜面12aに絶縁膜13を成膜する前に、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体のガス又は水溶液を被成膜面12aに接触させて被成膜面12aを改質する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

被成膜基板の被成膜面に絶縁膜を成膜する前に、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体のガス又は水溶液を前記被成膜面に接触させて前記被成膜面を改質することを特徴とする被成膜面の改質方法。

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 P

Fターム (8件)：

5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BE10 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052412 出願人：川崎製鉄株式会社
絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-057592 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-167092 出願人：株式会社東芝

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