特許
J-GLOBAL ID：200903031587824360
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140607
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 異なる複数の電源電位を任意に選択できる半導体集積回路を得る。【構成】 第1半導体領域3及び第2半導体領域4は、いずれも間隙14により互いに分離された多数の配列を成している。そして第2半導体領域4の上方にはそれぞれ電位V1,V2を供給する電源配線7,6が敷設されている。各セルは互いに異なるウエルにおいて形成されることになり、互いに異なる電源電位を要求することができる。第2半導体領域4は、コンタクト71,61を採ることによって電源配線7,6のいずれかと接続される。【効果】 スライス工程において複数の配線のいずれかを選択して接続することができる。
請求項（抜粋）：
互いに絶縁され、第1の横方向に配列された複数の半導体領域と、いずれの前記半導体領域に対しても、上方において前記半導体領域と離隔して敷設される複数の電源配線と、を備え、一の前記半導体領域にはいずれか一つの前記電源配線が接続される半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/118
, H01L 21/82
, H01L 27/04
H01L 21/82 M
, H01L 21/82 L
