特許

J-GLOBAL ID：200903031587920946

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 瀬戸 正博 ,  高田 昭夫 ,  菅井 徹 ,  本田 忠行 ,  柴田 拓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-279414
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120509
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】 下地膜上に成膜された第1の磁気抵抗効果膜と、上記第1の磁気抵抗効果膜上に成膜された非磁性絶縁膜と、上記非磁性絶縁膜上に成膜された第2の磁気抵抗効果膜とから成る2層型の磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドについて、磁気抵抗効果素子の磁気的安定性を高めて、バルクハウゼンノイズやヒステリシス損失の発生を抑制し、再生出力の安定化、及び再生出力の向上を図る。【解決手段】 上記下地膜の表面の最大突起高さRppを7.0nm以下、平均粗さRaを1.0nm以下にすると共に、上記非磁性絶縁膜の表面の最大突起高さRppを7.0nm以下、平均粗さRaを1.0nm以下とする。

請求項（抜粋）：

下地膜上に成膜された第1の磁気抵抗効果膜と、上記第1の磁気抵抗効果膜上に成膜された非磁性絶縁膜と、上記非磁性絶縁膜上に成膜された第2の磁気抵抗効果膜とを有する磁気抵抗効果素子を備え、上記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果によって再生信号を検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記非磁性絶縁膜の表面の最大突起高さRppが7.0nm以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。