特許
J-GLOBAL ID：200903031591822576
基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296618
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190190
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体の両面実装、多層実装、多面実装などの高密度実装を実現できる、導電体を微小ピッチでも存在させることが可能な厚さ方向に配向させた導電体を含む基板とその製造方法を提供すること。【解決手段】 1本または2本以上の線状の導電体および/または熱伝導体を絶縁材料に埋設してブロック体を形成する工程、及び前記ブロック体を線状の導電体および/または熱伝導体が表裏導通するように2片以上に切断する工程を含む表裏導通基板の製造方法。1本または2本以上の導電体および/または熱伝導体が絶縁材料に表裏貫通している基板であって、少なくとも絶縁材料の主表面のろ波最大うねりが10μm以下である表裏貫通基板。1本または2本以上の導電体および/または熱伝導体が絶縁材料に表裏貫通している基板であって、少なくとも絶縁材料の主表面の反り量が10μm/cm以下である表裏貫通基板。
請求項（抜粋）：
1本または2本以上の線状の導電体および/または熱伝導体を絶縁材料に埋設してブロック体を形成する工程、及び前記ブロック体を線状の導電体および/または熱伝導体が表裏導通するように2片以上に切断する工程を含むことを特徴とする表裏導通基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 3/00 A
, H05K 1/11 L
