半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162702
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094756
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】耐熱性の劣る基板上に良好な特性を示す絶縁ゲイト型(MIS型)シリコン半導体装置を作製する方法に関して、特にゲイト絶縁膜およびその作製方法を提供する。【構成】酸素等の酸化雰囲気中にシリコン半導体表面をさらし、これを400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱するか、もしくは数10秒〜数分間、強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、しかる後にプラズマCVD法等の公知の成膜手段によって絶縁被膜を成膜し、所望の厚さのゲイト絶縁膜とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に島状の結晶性珪素膜を形成する第1の工程と、前記島状珪素膜に、酸化雰囲気中でレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、該珪素膜表面に薄い酸化膜を形成する第2の工程と、前記島状珪素膜を覆って、化学的もしくは物理的気相成長手段によって絶縁被膜を形成する第3の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-022127
特開平3-006865
特開昭62-045129

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