特許

J-GLOBAL ID：200903031594932879

イオン注入装置

発明者： 冨来 秀文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360331
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182630
出願日： 1991年12月30日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入工程における半導体基板のチャージアップ制御性を向上させ、高生産性でかつ高歩留りで半導体装置を製造可能なイオン注入装置を得る。【構成】 注入するイオンに電子を供給するエレクトロンシャワーを備えるイオン注入装置の処理室5に1以上の電子供給源10を設け、イオン注入を行う試料(半導体基板7)に対して独立して電子を供給し得るように構成する。エレクトロンシャワーとは独立して試料に電子を供給することで、エレクトロンシャワーにおける電子電流密度を増大することなくイオン電流密度を増大することが可能となり、その変動が防止され、チャージアップ制御性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板等のイオンが注入される試料を収納する処理室と、前記試料に注入させるイオンを発生して前記処理室内に供給するイオン発生手段と、発生されたイオンに電子を供給するエレクトロンシャワーとを備えるイオン注入装置において、1以上の電子供給源を前記処理室に設け、前記試料に独立して電子を供給し得るように構成したことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-015745
  
• 特開昭62-126538
  
• 特開平2-024948