特許
J-GLOBAL ID：200903031596061123
表示装置用薄膜トランジスタ基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310604
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160899
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 表示装置用TFT基板への戻り光のうちTFT部4へ入射する光量を低減することにより、TFTの特性劣化を防止する。【構成】 TFT4と基板1との間にポリシリコン膜2を有する遮光膜を備えており、その膜厚が、所定の波長を有する入射光を内部で干渉させて、減衰させるように設定されているので、基板1側からの入射光のうち所定の波長の光は、ポリシリコン膜2で吸収されるのみならず、干渉作用によって減衰する。更に、透明絶縁膜3においても、入射光は干渉作用により減衰する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、該基板と該薄膜トランジスタとの間に形成され、所定の波長を有する入射光を内部で干渉させて、減衰させるように厚みが設定されたポリシリコン膜を有し、該薄膜トランジスタへの光入射を抑制する遮光膜とを備えた表示装置用薄膜トランジスタ基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335
, H01L 29/784
