特許

J-GLOBAL ID：200903031596401056

エピタキシャル(111) 緩衝層を有する構造

発明者： ディヴィッド ケイ フォーク
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216051
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 四面体半導体基板の (111)面上に、結晶方位が拘束された、さまざまな望ましいエピタキシャル構造を可能にするエピタキシャル (111) MgO 層を有する構造を提供する。【構成】 本構造は、 GaAs (111) 基板、基板の結晶軸と一直線に合った結晶軸を有する、基板上に成長したエピタキシャル(111) MgO 層、およびエピタキシャル(111) MgO 層の上に生成させたエピタキシャル上部層( 例えば、LiNbO3)から成っている。

請求項（抜粋）：

(111) 四面体化合物半導体基板、および前記基板の結晶軸と一直線に合った結晶軸を有する、前記基板上の (111)酸化マグネシウムの層、から成ることを特徴とする構造。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/02