特許
J-GLOBAL ID：200903031597323571
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174110
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021228
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】ポリシリコン膜により形成される半導体ヒューズの構造において、ヒューズ以外の部分を低抵抗化し、ヒューズ溶断のための電圧を低電圧化する。【構成】ポリシリコン層により形成される半導体ヒューズにおいて、ヒューズ部以外のポリシリコン層表面に高融点金属シリサイド層を形成し、寄生抵抗を極力少なくする。【効果】高融点金属シリサイド層は、通常のポリシリコン抵抗に比べ抵抗値で約十分の一とすることができるため、寄生抵抗をその分少なくすることができた。これにより、半導体ヒューズパターンが微細化されても、寄生抵抗を気にする必要がなく、ヒューズ溶断に必要な電圧を高く設定せずに現状維持或いはさらに低電圧化させることが可能になった。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第一の絶縁膜が形成され、上記第一の絶縁膜上に第一の半導体層が形成されており、上記第一の半導体層は所望のパターン部において、上記第一の半導体層表面に高融点金属と上記半導体層の化合物が形成されていること、また上記所望のパターン部以外は、上記第一の半導体層による半導体ヒューズが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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