特許

J-GLOBAL ID：200903031605406716

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： 上野 勝典
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028624
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240409
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】炭化珪素結晶表面を熱酸化する場合に、酸化速度を増大し、選択酸化を可能にする。【構成】炭化珪素結晶表面に、燐、窒素、アルゴン、砒素、ネオン、フッ素、アルミニウムのいずれかのイオンを注入した後熱酸化する。酸化膜厚をイオン注入無しの場合に比べ2〜3倍にできる。選択的にイオン注入すれば、その部分だけに厚い酸化膜ができて選択酸化が可能になる。加速電圧を50keV以上にし、ドーズ量を5×1014以上にすれば、より有効である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素結晶の結晶表面に元素のイオン注入を行った後熱酸化することを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/469