特許

J-GLOBAL ID：200903031616967450

プラズマ化学蒸着装置

発明者： 村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  高野 暁己
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 坂間 暁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278890
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129555
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体などの電子デバイスに使用される薄膜を製造するプラズマ化学蒸着装置に関し、高速度成膜時の薄膜への粉混入を防止し、膜質の品質を高める。【解決手段】 反応容器1には基板9を取付けた基板加熱ヒータ3、反応ガス導入管6、排気管7と連結したアースシールド10に囲まれたラダーインダクタンス電極2を平行に配置する。真空ポンプ8で所定の真空度にした後、反応ガス導入管6の多数の吐出孔6bよりSiH4 ガスを供給し、高周波電源4からインピーダンス整合器5を介して電極2に高周波電力を印加するとグロープラズマ放電が発生し、SiH4 ガスを分解する。分解ガスのうちSiH3 ラジカルは基板9に拡散し、表面に薄膜を成形するが、発生した粉は粉径が成長しており、プラズマ内の流れに乗って排気管7へ排出されるので上流側に配置した基板9へは到達しない。

請求項（抜粋）：

反応容器と、同反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス吐出孔と、反応ガスを排出する反応ガス排出孔と、前記反応容器内に配置された放電用ラダーインダクタンス電極と、同放電用ラダーインダクタンス電極にグロー放電発生用電力を供給する電源と、前記放電用ラダーインダクタンス電極と所定の間隔で平行に支持された基板加熱用ヒータとを有し、前記電源から供給された電力によりグロー放電を発生し、同基板加熱用ヒータ上に支持された基板表面上に非晶質薄膜を形成するプラズマ化学蒸着装置において、前記反応ガス吐出孔が前記基板と前記ラダーインダクタンス電極との間に設置され、かつ、前記反応ガス排出孔は同反応ガス吐出孔とで前記ラダーインダクタンス電極を挟む形に配置したことを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 ,  B01J 19/08 ,  C01B 33/02 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 L ,  B01J 19/08 H ,  C01B 33/02 D ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C