特許
J-GLOBAL ID：200903031618487553
ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-144453
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022387
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチング装置の構造の改良に関し、上部電極板と下部電極板との位置ずれを正確に復元することが可能であり、また、ドライエッチング処理中のエッチングレートの変動に対応して反応ガスの組成を制御することが可能となるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 処理室1内の下部には半導体基板9を載置する下部電極板5、上部には前記半導体基板9と対向する上部電極板2を具備し、この上部電極板2とこの下部電極板5との間に高周波電源8により高周波電圧を印加してこの処理室1内に導入した反応ガスをプラズマ化し、この半導体基板9の表面をエッチングするドライエッチング装置において、この上部電極板2に距離測定用の光センサ4取り付け用の取り付け孔2aと石英カバー3を、この下部電極板5に距離測定用の発光ダイオード7取り付け用の取り付け孔5aと石英カバー6を設けるように構成する。
請求項（抜粋）：
処理室(1) 内の下部には被処理物(9) を載置する下部電極板(5) 、上部には前記被処理物(9) と対向する上部電極板(2) を具備し、前記上部電極板(2) と前記下部電極板(5) との間に高周波電源(8) により高周波電圧を印加して前記処理室(1) 内に導入した反応ガスをプラズマ化し、前記被処理物(9)の表面をエッチングするドライエッチング装置において、前記上部電極板(2) に距離測定用の受動部品(4) 取り付け用の取り付け孔(2a)と石英カバー(3) を、前記下部電極板(5) に距離測定用の能動部品(7) 取り付け用の取り付け孔(5a)と石英カバー(6) を設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 L
