高圧電界効果トランジスタ及び集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江原省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021791
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】高圧MOSトランジスタのドレイン・ソース間の耐圧劣化の防止。【構成】半導体基板(1)のチャネルストッパ領域(2)で囲まれた部所にドレイン領域(3)とソース領域(4)を形成し、ドレイン・ソース領域間上に酸化膜(5)を介しゲート電極(6)を形成し、ドレイン領域(3)上にドレイン電極(7)をその一部から延長するドレイン電極引出パターン(8)と共に形成する。このトランジスタのドレイン・チャネルストッパ領域間とドレイン電極引出パターン(8)の交差する部所(20)に低電位電極(9)を絶縁層(10)を介して形成する。低電位電極(9)は、高電位のドレイン電極引出パターン(8)の電界が、ドレイン・チャネルストッパ領域間に作用するのを防止する電界シールド作用を呈し、ドレイン・ソース間の耐圧劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板の同一導電型チャネルストッパ領域で囲まれた部所に、他導電型不純物を選択拡散してドレイン領域とソース領域を形成し、ドレイン・ソース領域間上に酸化膜を介しゲート電極を形成し、ドレイン領域上にドレイン電極をその一部から延長するドレイン電極引出パターンと共に形成した高圧電界効果トランジスタにおいて、ドレイン・チャネルストッパ領域間とドレイン電極引出パターンの交差する部所に低電位電極を絶縁層を介して形成したことを特徴とする高圧電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/04 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 102 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-197172
特開昭53-072577
特開昭62-229880

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