特許
J-GLOBAL ID：200903031622656904
半導体装置のケイ素酸化膜の改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044340
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190537
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 アルコキシシランを原料としCVD法で既に形成された酸化ケイ素膜を極めて良質の膜に改質することを目的とする。【構成】 酸化ケイ素膜の改質は20%以上の窒素と他のガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことによって達成される。ここで他のガスは酸素、酸化窒素、オゾン、フッ素、フッ化水素、フロロメタン、フロロエタン、フッ化酸素、フッ化窒素、クリプトンあるいはキセノン、あるいはこれらの二種以上の混合物である。【効果】 膜中にOH基やアルキル基等の残存がなく、絶縁耐性に優れた膜を得られること、低温で改質処理を行うことができ、改質された膜は緻密性や平坦化性に優れていること、張力性残留歪がないこと等の効果がある。
請求項（抜粋）：
アルコキシシランを原料としてCVD法で成膜した酸化ケイ素膜あるいは酸化ケイ素になるまでの中間生成物からなる膜を20%以上の窒素と他のガスを含む雰囲気中でプラズマ処理することを特徴とする半導体装置のケイ素酸化膜の改質方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/302
