特許

J-GLOBAL ID：200903031624027246

堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法

発明者： 村山 仁
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-345170
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183354
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】 高周波-PCVD法を用いたa-Si系感光体形成において、画像欠陥が抑制され、他の電子写真特性も良好なa-Si系電子写真用感光体を低コストで安定して製造し得る堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】 反応容器101内に成膜空間を取り囲むように複数の基体105を配置する手段を有するプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、該反応容器101中に、少なくとも一部が導電性材料で構成された電気的にフローティングの補助部材111を設置したこと特徴とする堆積膜形成装置;およびこれを用いた堆積膜形成方法。

請求項（抜粋）：

反応容器内に成膜空間を取り囲むように複数の基体を配置する手段を有するプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、該反応容器中に、少なくとも一部が導電性材料で構成された電気的にフローティングの補助部材を設置したこと特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 D