特許

J-GLOBAL ID：200903031625327324

垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ

発明者： デカイ サン
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-264075
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150340
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 密に配置しても電気、光、または熱の影響を受けにくく、各素子を別個に独立して発光させることのできる垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 活性層116と、活性層上方の上方DBR128と、活性層下方の下方DBR106とからなる複数半導体層に半環状の溝200を形成する。溝200の内側には側方酸化によって形成された自然の酸化物層204によって規定される開口202を有する。

請求項（抜粋）：

表面発光型半導体レーザであって、基板と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層のうち活性領域を形成する一層以上の層と、前記活性領域上方に位置する第1のレフレクタおよび前記活性領域下方に位置する第2のレフレクタであって、前記第1および第2のレフレクタの少なくとも一方は前記活性領域から放射された光を一部透過可能な第1および第2のレフレクタと、前記活性領域を流れる電流を制御する開口であって、前記複数の半導体層中に形成された半環状の溝に取り囲まれた自然の酸化物層によって規定された開口と、前記活性領域をバイアス可能な第1および第2の電極と、を含む表面発光型半導体レーザ。