特許
J-GLOBAL ID：200903031627887254
半導体圧力センサとその製造方法及びこれを用いた複合伝送器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-132682
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】製造容易でありダイアフラムへの残留歪が抑制され単一の剛体部を有するものにも適用可能な過大圧力保護機構を備える半導体圧力センサを実現する。【解決手段】基板51はn型面単結晶シリコンであり差圧検出用ダイアフラム21内には剛体部23を八角形に加工する。剛体部23の先端にはSiNの膜25を介してシリコンp型高濃度不純物層からなる板材24が形成されている。圧力導入口29の穴径は板材24の最大径よりも小さい。ダイアフラム21の上下面の間で圧力差が生じ、上面側から過大圧力が印加した場合は板材24とポスト材28とが接触しストッパとして作用する。ダイアフラム21の下面側から過大圧力が印加すると、板材24の径をダイアフラム21を支持する厚肉部の下面側開口部の最小径より小さく、ダイアフラム21の最大径より大とすることでダイアフラム21の支持厚肉部に板材24が当たり板材24をストッパとして作用させることができる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板を裏面側からくり抜いてこの裏面側に開口部を形成するとともに、表面側にダイアフラム薄肉部ならびにそれを支持する厚肉部を形成し、上記ダイアフラムの表面上に受圧素子としてピエゾ抵抗を配置し、上記ダイアフラム薄肉部に隣接する領域に上記薄肉部よりも板厚の厚い剛体部と、上記基板に圧力導入口を有する金属製の基体とを有し、上記ダイアフラムに印加される圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、上記剛体部のダイアフラム薄肉部側とは反対側の面に接着された板材を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84 B
