特許

J-GLOBAL ID：200903031628568616

ウエット処理装置

発明者： 山守 秋喜
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064572
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 ウェット処理装置、特に薄膜半導体装置製造用大型ガラス基板のウェット処理装置を提供すること。【構成】 処理槽(外槽)1及び処理槽(内槽)2からなり、該処理槽(内槽)2内にガラス基板8を保持したカセット4を配置したウェット処理装置であって、前記処理槽(内槽)2の上部からオ-バ-フロ-した薬液3を前記処理槽(外槽)1の底部から排液し、前記処理槽(内槽)2の底部に入液する液循環系が形成されているウェット処理装置において、前記処理槽(内槽)2の底部に入液するパイプ兼基板支持棒9に薬液3の吹出し孔10を設けたウェット処理装置。【効果】 このような吹出し孔10から噴出させることで、基板表面での薬液循環が困難な部分がなくなり、洗浄処理が均一に行うことができ、1μm以上のパ-ティクル除去数が約5〜10%向上する。

請求項（抜粋）：

外側処理槽及び内側処理槽からなり、該内側処理槽内に被処理用基板を保持したカセットを配置してなるウェット処理装置であって、前記内側処理槽の上部からオ-バ-フロ-した処理液を前記外側処理槽の底部から排液し、前記内側処理槽の底部に入液する液循環系が形成されているウェット処理装置において、前記内側処理槽の底部に入液するパイプ兼基板支持棒に処理液噴出孔を設けてなることを特徴とするウェット処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/10 ,  C23F 1/08 101 ,  H01L 21/306