特許

J-GLOBAL ID：200903031629892859

半導体集積回路及びこの半導体集積回路のテスト方法

発明者： 小野寺 進
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283266
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路のROMのテスト時に、テスト信号を暗号化させることなく、ROMのデータの解読を防ぐセキュリティ対策を有する半導体集積回路の提供を目的とする。【解決手段】半導体チップ上に形成された半導体素子と、半導体チップのテスト信号を入力するテスト信号入力端子と、半導体チップのテスト信号を外部に出力するテスト信号出力端子と、半導体チップ上に形成された、ダミー信号を発生させるダミー信号発生回路と、ダミー信号発生回路から発生するダミー信号を外部に出力するダミー信号出力端子とを有することを特徴とする。テスト時に信号発生端子とダミー信号発生端子から同時に信号が発生されるため、半導体素子に蓄積されたデータがどの信号端子から発生しているか判別を難しくすることが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に形成された半導体素子と、この半導体チップのテスト信号を入力するテスト信号入力端子と、前記半導体チップ上に形成され、前記テスト信号入力端子にテスト信号が入力されるとダミー信号を発生するダミー信号発生回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

G06F 12/14 320 ,  G01R 31/28 ,  G06F 11/22 350 ,  G06F 12/16 330 ,  G11C 17/00 ,  G11C 29/00 673

FI (7件)：

G06F 12/14 320 A ,  G06F 11/22 350 B ,  G06F 12/16 330 A ,  G11C 17/00 D ,  G11C 29/00 673 Z ,  G01R 31/28 V ,  G01R 31/28 B