特許
J-GLOBAL ID：200903031631306460
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035803
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200753
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 薄膜トランジスタにおいて、結晶性の制御をおこなうことによって、その信頼性、歩留りを向上させる方法を提供する。【解決手段】 島状のアモルファスシリコン膜上にゲイト電極14を形成し、これをマスクとして不純物を注入し、この不純物領域16A・Bの一部に密着させてニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを含有する被膜17A・Bを形成し、純粋なるアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、不純物領域およびチャネル形成領域を結晶化させる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成され、第1の不純物領域と、第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域の間のチャネル形成領域とを有する半導体膜と、前記チャネル形成領域上方にゲイト絶縁膜を介して形成されたゲイト電極と、前記第1の不純物領域または前記第2の不純物領域に前記半導体膜の結晶化を促進する元素が添加された領域とを有する半導体装置であって、前記半導体膜は結晶化されており、前記結晶化は前記結晶化を促進する元素が添加された領域から進行して、前記第1の不純物領域または前記第2の不純物領域で終了していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/265 602
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 627 G
