特許

J-GLOBAL ID：200903031631425060

スパッタリング装置及びスパッタリング方法

発明者： 高橋 潔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209872
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：

【要約】【課題】スパッタリングで成膜されたシリサイド膜の組成比を一定にするためのスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。【解決手段】Siターゲット1の両側にターゲット回転用ロッド10a、10bに取り付けられたWターゲット2a、2bを設け、このWターゲット2a、2bの傾斜角αを、tan-1(b/L)≦α≦tan-1{(a+b)/L}の角度範囲内で可変しながらスパッタリングを行う。このようにしてシリサイド膜の高融点金属とSi原子の放出角度を補正し、半導体基板8上の段差平坦部に成膜されるシリサイド膜の組成比と段差側壁部分の組成比を同等にすることができ、組成比の差に起因する耐薬品性の低下や膜剥がれを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された段差部分に第1及び第2の金属の合金薄膜をスパッタリングにより形成する際、前記第1金属のターゲットを前記半導体基板表面と平行に設置し、さらにこの第1金属のターゲットの両側に第2金属のターゲットを第1金属のターゲットに対し傾斜角αとなるように対向配置したスパッタリング装置において、前記第2金属のターゲットが、それぞれ前記半導体基板表面法線方向と角度αで傾斜したターゲット回転用ロッドを回転軸として回転可能であることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-219067
  
• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-171200   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-007851
  
• 特開昭63-000465
  

審査官引用 (2件)

• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-171200   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-219067