特許

J-GLOBAL ID：200903031635832604

磁気特性の測定方法

発明者： 佐本 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201494
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、磁気特性の測定方法において、容易磁化方向が膜面内方向に対して傾斜した磁性材料膜の容易磁化方向のM-Hヒステリシスループを反磁界を正しく補正して測定し得るようにする。【構成】磁性材料膜(8)の磁化量(M)の第2及び第3の方向(X及びY)の磁化量成分(mX 及びmY )に基づいて算出した反磁界(HD )と、この反磁界(HD)に応じて算出した実際の実効磁界(HE )の角度(θE )及び実効磁界(HE)とを、実効磁界(HE )の角度(θE )が容易磁化方向(θ0 )にほぼ一致するまで、印加磁界(HA )及び印加磁界(HA )の角度(θA )にフイードバツクして測定する。

請求項（抜粋）：

第1の方向と直交する第2の方向に生成した印加磁界を磁性材料膜に印加し、当該第1の方向と直交する第1の面内方向での上記磁性材料膜の磁化量を測定する磁気特性測定装置の磁気特性測定方法において、上記磁性材料膜の膜面内方向を上記第1の方向に沿わせ、かつ当該磁性材料膜の容易磁化方向を上記第1の面内方向に沿わせて、当該磁性材料膜を上記磁界内に配置し、上記磁化量のうち上記第2の方向の磁化量成分と、上記第1及び第2の方向と直交する第3の方向の磁化量成分とを検出し、上記検出した第2及び第3の方向の磁化量成分に基づいて、上記第1の面内方向で上記膜面内方向に直交する方向の反磁界を算出し、上記算出した反磁界に応じて、上記第1の面内方向で上記磁性材料膜に作用する実効磁界と上記膜面内方向に対する当該実効磁界の角度とを算出し、上記実効磁界の角度が上記容易磁化方向にほぼ一致するまで、上記実効磁界と上記実効磁界の角度とを、上記第1の面内方向での上記印加磁界に対する上記膜面内方向の角度と当該印加磁界とにフイードバツクして、上記容易磁化方向の磁化量を測定することを特徴とする磁気特性の測定方法。

IPC (3件)：

G01R 33/14 ,  G01N 27/72 ,  G11B 5/84