特許

J-GLOBAL ID：200903031638449577

金属プラグの形成方法及びこれに用いるウェハ処理装置

発明者： 篠原 啓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347270
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 配線自体及び配線のコンタクトの信頼性を高める様に金属プラグを形成して、半導体装置の信頼性を高める。【構成】 コンタクト孔14が形成されているSiO2 膜13上に、密着性向上のためのTiON層15とプラグを形成するためのW膜16とを順次に堆積させ、バイアススパッタリングによって、W膜16上にW膜21を平滑に堆積させる。その後、W膜21、16とTiON層15とをエッチバックすると、W膜21の平滑な表面形状が維持されたままエッチバックが進行する。この結果、SiO2 膜13が均一に露出し、堆積時点のW膜16の表面の凹凸がSiO2 膜13に転写されず、且つ表面の平滑なW膜16でコンタクト孔14が埋め込まれる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜にコンタクト孔を形成し、前記絶縁膜上に金属膜を堆積させ、この金属膜をエッチングしてこの金属膜で前記コンタクト孔を埋める様にした金属プラグの形成方法において、前記金属膜上に平滑化層を形成し、この平滑化層と前記金属膜とに対して前記エッチングを行うことを特徴とする金属プラグの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90