特許
J-GLOBAL ID：200903031639276218
電界効果型トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330777
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099310
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 凹型トランジスタにおいて、ゲート電極及び拡散層間の寄生容量を増加させずに、ゲート容量を増加させ、短チャネル効果を抑制する。拡散層形成後に高誘電率材料からなるゲート酸化膜及びゲート電極を形成することにより、熱工程に伴う、高誘電率材料からデバイス自身及び製造装置への汚染を防ぐ。【構成】 シリコン基板1から上に突起した拡散層2を持つトランジスタにおいて、タングステン層5により形成されたゲート電極の下部に高誘電率材料3よりなるゲート絶縁膜、ゲート電極の側面にSiO2 よりなる絶縁膜4を設ける。この構造は凹型の形状を作製後に絶縁膜、ゲート電極を埋め込んで製造する。また、この構造はダミーパターンを用いた自己整合プロセス、BSG、PSGからの熱拡散による拡散層の形成等を用いて製造する。
請求項（抜粋）：
拡散層が基板より上方に突起する電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極の下部が高誘電率材料よりなる第1の絶縁膜を介して基板に相対し、かつ第1の絶縁膜はゲート電極の端よりも拡散層側に延びており、ゲート電極の側面と拡散層が第2の絶縁膜を介して相対し、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜に比べ誘電率の低い材料からなるか、あるいは第1の絶縁膜に比べ誘電率の低い材料からなる膜を含む複合膜からなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 V
